据悉,日前三星签署了第三季度销售和采购半导体设备的合同,以扩大其中国苏州工厂的生产设施,该合同价值约200亿韩元。苏州工厂是目前三星电子唯一的海外测试和封装生产基地。另外,三星近期也与韩国忠清南道和天安市签署了投资协议,以扩大半导体封装工艺设施。
SK海力士宣布已经量产全球最高的321层1Tb TLC 4D NAND闪存,并计划于2025年上半年开始供应,以响应市场的需求。相比上一代238层NAND闪存,数据传输速度和读取性能分别提高了12%、13%,并且数据读取能效也提高10%以上。
SK海力士表示:“公司从2023年6月量产当前最高的上一代238层NAND闪存产品,并供应于市场,此次又率先推出了超过300层的NAND闪存,突破了技术界限。计划从明年上半年起向客户提供321层产品,由此应对市场需求。” ...
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【ITBEAR】SK 海力士近日宣布了一项重大技术突破,成功实现了全球首款321层1Tb TLC 4D NAND闪存的量产。这一成就标志着NAND闪存技术迈入了一个全新的高度。
IT之家 11 月 21 日消息,SK 海力士刚刚宣布开始量产全球最高的 321 层 1Tb(太比特,与 TB 太字节不同)TLC(Triple Level Cell)4D NAND 闪存。据介绍,此 321 ...