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此外,还需要足够的驱动功率来最大限度地减少高频开关损耗并实现SiC MOSFET众所周知的高效率。基于 CT 的栅极驱动器可以为 SiC MOSFET 提供高效驱动,支持隔离以保护系统运行,并且可以直接与微控制器连接以简化控制(图 3)。
· 与主流 SiC MOSFET 兼容:适用于 Littelfuse 和其他市场领先的汽车 SiC MOSFET。 供货情况 TPSMB 非对称系列 TVS 二极管以卷带装形式供应,数量为 3,000 个。
专为下一代电动汽车基础设施而设计,为高能效车载充电和逆变器提供结构紧凑的单元件解决方案。 Littelfuse公司30日宣布推出TPSMB非对称TVS二极管系列,这是首款上市的非对称瞬态电压抑制(TVS)二极管,专门用于保护汽车应用中的碳化硅(SiC)MOSFET栅极驱动器。
2.4 如何选择MOSFET晶体管 上面的示例使用N通道MOSFET和P通道MOSFET的工作方式是一样的,只是电流流向相反的方向,并且栅极到电源电压必须是负值才能打开它。
金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)是互补金属氧化物半导体(CMOS)技术的核心元件,代表了工业革命以来最重要的发明之一。在集成电路产品 ...
一、MOSFET简介 场效应管 (MOSFET)也叫场效应晶体管,是一种单极型的电压控制器件,不但有自关断能力,而且具备输入电阻高、噪声小、功耗低、驱动功率小、开关速度高、无二次击穿、安全工作区宽等特点,MOSFET在组合逻辑电路、放大器、电源管理、测量仪器等领域应用广泛。MOSFET按导电沟道可 ...
大电流功率开关管是一个串联到主电源轨并由逻辑电路控制的低电阻MOSFET晶体管,集成了各种保护、诊断和检测功能。 在大功率汽车电源系统中,通过背靠背连接的 MOSFET开关管,可以保证保险盒对电流双向控制,为电源路径提供强大的保护(图 1)。
MOSFET作为不可替代的基础性产品,被广泛应用在各个领域。在全球节能减排大环境下, MOSFET相比于IGBT和三极管器件功耗低、工作频率高,无电流拖尾等现象产生。世强硬创平台汇聚国产知名MOSFET功率器件制造商, 可提供20V-1700V,包含低压,中压,高压MOSFET,工作温度最高可达175℃,推动研发项目 ...
开篇前言 关于SiC MOSFET的并联问题,英飞凌已陆续推出了很多技术资料,帮助大家更好的理解与应用。此文章将借助器件SPICE模型与Simetrix仿真环境,分析SiC MOSFET单管在并联条件下的均流特性。 特别提醒 仿真无法替代实验,仅供参考。 1、选取仿真研究对象 SiC MOSFET ...
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