证券之星消息，根据企查查数据显示京东方Ａ（000725）公布了一项国际专利申请，专利名为“栅极驱动电路、显示基板和显示装置”，专利申请号为PCT/CN2024/071152，国际公布日为2025年7月17日。 专利详情如下： ...

证券之星消息，根据企查查数据显示京东方Ａ（000725）公布了一项国际专利申请，专利名为“栅极驱动装置及其驱动方法、显示基板、显示装置”，专利申请号为PCT/CN2024/081494，国际公布日为2025年7月17日。 专利详情如下： ...

当地时间周五，被称为日本“芯片国家队”的半导体制造商Rapidus举行发布会， 宣布旗下工厂已经开始2nm全环绕栅极（GAA）晶体管的测试晶圆原型制作，同时确认早期的2nm测试晶圆已达到预期电气特性。

IT之家 7 月 18 日消息，日本先进半导体制造商 Rapidus 今日正式宣布启动 2nm GAA（IT之家注：全环绕栅极）晶体管的试制，并展示了其首块 2nm GAA 晶圆。这也是 最尖端逻辑制程从“三足鼎立”走向“四厂争霸”道路上的关键里程碑 ...

改变栅极驱动电流可控制 SiC 的开关速度，如图 2 所示。 图 2：通过改变栅极驱动器 IC 驱动强度控制 SiC 开关速度. 栅极驱动电流的实时可变功能可实现瞬态过冲管理以及整个高电压电池能量周期的设计优化。

分享栅极驱动器有助于消除不同驱动器之间的不匹配问题,但是很难对栅极驱动器进行对称布局,特别是对超过两个并联模块而言。 图4显示的是布局 ...

栅极驱动器ic可用于提供容性mosfet栅极充电所需的高电流。在此，栅极驱动器以差分方式驱动脉冲变压器的原边，两个副边绕组驱动半桥的各个栅极。在这种应用中，脉冲变压器具有显著优势，不需要用隔离式电源来驱动副边mosfet。 图3. 脉冲变压器半桥栅极驱动器 ...

看到一篇推文，“Why 100Ω? 较真的教授发现简单结论背后不简单的问题”，对MOSFET管栅极为什么放置“一个约100Ω串联电阻”进行讨论。推文一开始就 ...

栅极关断时，电流在电阻上产生的压降大于二极管导通压降时，这时二极管会导通，从而将电阻进行旁路，导通后，随着电流的减小，二极管在电路 ...

最近，日本半导体制造商Rapidus宣布了一个令人振奋的消息：他们成功启动了2纳米（nm）环绕栅极（GAA, Gate-All-Around）晶体管的试制，并展示了第一块采用这种先进技术制造的晶圆。这不仅标志着Rapidus在追求最尖端半导体工艺方面迈出了关键一步，也让我们看到了日本半导体产业重振雄风的决心。

7月18日，日本半导体制造商Rapidus宣布，已在其创新集成制造工厂（IIM-1）启动2纳米全环绕栅极（GAA）晶体管结构的原型试制，原型晶圆并已启动电性参数测试。Rapidus表示，在正开发一款与创新集成制造工厂2纳米工艺兼容的工艺开发套件，并将 ...