证券之星消息，根据企查查数据显示京东方Ａ（000725）公布了一项国际专利申请，专利名为“栅极驱动电路、显示基板和显示装置”，专利申请号为PCT/CN2024/071152，国际公布日为2025年7月17日。 专利详情如下： ...

在众多候选材料中，硒化铟（InSe）因其低电子有效质量、高热速度以及合适带隙等优异特性，被广泛认为是突破硅极限的有力竞争者，甚至被诺贝尔奖获得者 Andre Geim 教授誉为“黄金半导体”。InSe 理论性能不仅显著优于硅，也超过 MoS 2 ...

7月18日消息，日本先进半导体企业Rapidus宣布已正式开始试制2nmGAA（全环绕栅极）晶体管，并公开展示了首批2nmGAA晶圆。这一进展标志着全球最先进逻辑制程竞争格局正从“三强并立”演变为“四雄争霸”的新局面。Rapi ...

IT之家 7月18日消息，日本先进半导体制造商Rapidus今日正式宣布启动2nm GAA（IT之家注：全环绕栅极）晶体管的试制，并展示了其首块2nm GAA晶圆。这也是最尖端逻辑制程从“三足鼎立”走向“四厂争霸”道路上的关键里程碑。

北方华创作为半导体设备领域的平台型企业，其半导体设备品类数量在国内同类型厂商中位居前列，覆盖光胶处理、刻蚀、清洗、热处理、化学气相沉积、物理气相沉积等多个集成电路生产环节。中微半导体则不同，属于半导体专业型设备商，其半导体设备仅聚焦刻蚀工艺环节。

财联社7月19日讯（编辑 史正丞） 当地时间周五，被称为日本“芯片国家队”的半导体制造商Rapidus举行发布会，宣布旗下工厂已经开始2nm全环绕栅极（GAA）晶体管的测试晶圆原型制作，同时确认早期的2nm测试晶圆已达到预期电气特性。

最近，日本半导体制造商Rapidus宣布了一个令人振奋的消息：他们成功启动了2纳米（nm）环绕栅极（GAA, Gate-All-Around）晶体管的试制，并展示了第一块采用这种先进技术制造的晶圆。这不仅标志着Rapidus在追求最尖端半导体工艺方面迈出了关键一步，也让我们看到了日本半导体产业重振雄风的决心。

（全球 TMT2025 年 7 月 18 日讯）先进逻辑半导体制造商 Rapidus 公司宣布，其 2nm 栅极全能（GAA）晶体管结构的原型设计已经在 Rapidus 的创新集成制造（IIM-1）代工厂开始试制。原型晶圆已启动电性参数测试。

IT之家 7 月 19 日消息，据北京大学物理学院消息，北京大学物理学院凝聚态物理与材料物理研究所刘开辉教授课题组与合作者提出“固–液–固”材料制备新策略，首次实现了高质量二维硒化铟（InSe）半导体晶圆的制备。 据介绍，该材料展现出优异的电学性能，在晶体管阵列中实现了极高的迁移率与接近玻尔兹曼极限的亚阈值摆幅，并在超短沟道（10 nm 以下）器件中，其关键参数 — 包括工作电压、栅极长度、漏致势 ...

7月18日，日本半导体制造商Rapidus宣布，正式启动了2nm GAA（全环绕栅极）晶体管的试制，并成功展示了其首块2nm GAA晶圆。这一进展标志着日本在先进制程技术领域迈出了关键一步，也为未来2nm制程的量产奠定了基础。

IT之家 7 月 18 日消息，日本先进半导体制造商 Rapidus 今日正式宣布启动 2nm GAA（IT之家注：全环绕栅极）晶体管的试制，并展示了其首块 2nm GAA 晶圆。这也是 最尖端逻辑制程从“三足鼎立”走向“四厂争霸”道路上的关键里程碑 ...

7月18日消息，日本先进半导体制造商Rapidus今日正式宣布启动2nm GAA（注：全环绕栅极）晶体管的试制，并展示了其首块2nm GAA晶圆。这也是最尖端逻辑制程从“三足鼎立”走向“四厂争霸”道路上的关键里程碑。