近年来，随着MOSFET的发展，在低功率高速开关领域，MOSFET正逐步替代三极管，行业主流厂家对三极管的研发投入也逐年减少，在芯片技术方面基本没有投入，器件的技术发展主要体现在晶圆工艺的升级（6inch wafer转8inch wafer）及封装小型化及表贴化上。

对于mosfet晶体管，电压栅极和源极之间的电流决定了有多少电流能从漏极流向另一个源极。 2.1 如何打开mosfet 下面是一个打开mosfet的电路示例。 如果要打开mosfet晶体管，需要在栅极和源极之间的电压高于晶体管的阈值电压。例如，bs170有一个栅源阈值电压2.1v。

此外，还需要足够的驱动功率来最大限度地减少高频开关损耗并实现SiC MOSFET众所周知的高效率。基于 CT 的栅极驱动器可以为 SiC MOSFET 提供高效驱动，支持隔离以保护系统运行，并且可以直接与微控制器连接以简化控制（图 3）。

金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）是互补金属氧化物半导体（CMOS）技术的核心元件，代表了工业革命以来最重要的发明之一。在集成电路产品 ...

SuperQ是过去25年来硅基MOSFET设计领域的首次重大突破，在硅功率器件中实现了前所未有的性能与效率提升。该架构突破了硅材料在导通与开关方面的物理瓶颈，将n型导电区域扩大至高达95%，并将开关损耗较竞争产品降低高达2.1倍。

MOSFET管的作用 MOSFET管是金属-氧化物半导体场效应晶体管晶体管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor）的英文简称，是FET管的一种，在不致混淆的情况下，我们一般就直接叫它MOS管。 MOSFET在显卡的供电系统中的主要作用是电压控制，即判断电位，为元器件提供稳定的电压。

在功率半导体发展过程中，20世纪50年代，功率二极管、功率三极管面世并应用于工业和电力系统。20 世纪60-70年代，晶闸管等半导体功率器件快速 ...

MOSFET（功率器件）行业分析报告：MOSFET即金属-氧化物半导体场效应晶体管，简称金氧半场效晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor， MOSFET)，归属于功率分立器件，是场效应晶体管(Field Effect Transistor-FET)中的重要分类，属于电压控制型半导体器件。

宽频率稳定性：在高达2MHz的宽工作频率范围内具有稳定的电容，是SiC MOSFET应用的理想之选； 与主流SiC MOSFET兼容：适用于Littelfuse和其他市场领先的汽车SiC MOSFET。 供货方面，TPSMB非对称系列TVS二极管以卷带装形式供应，数量为3,000个。

1、并联单管的源极电感Lex差异，SiC MOSFET的开通与关断的均流对此非常敏感。 因为，源极电感的差异也会耦合影响到驱动回路，以进一步影响均流。 如下图8所示，以关断为例，由于源极电感Lex不同，造成源极环流和源极的电位差(VQ11_EE-VQ12_EE)，推高了Q11源极电压VQ11_EE，间接降低了Q11门级与源极之间 ...

大电流功率开关管是一个串联到主电源轨并由逻辑电路控制的低电阻mosfet晶体管，集成了各种保护、诊断和检测功能。 在大功率汽车电源系统中，通过背靠背连接的 MOSFET开关管，可以保证保险盒对电流双向控制，为电源路径提供强大的保护（图 1）。

蓝箭电子（301348.sz）9月19日在投资者互动平台表示，公司主要产品中包括有二极管、三极管、mosfet、ldo、led驱动、锂电保护ic、dc-dc、esd等，可应用于 ...