近年来，随着MOSFET的发展，在低功率高速开关领域，MOSFET正逐步替代三极管，行业主流厂家对三极管的研发投入也逐年减少，在芯片技术方面基本没有投入，器件的技术发展主要体现在晶圆工艺的升级（6inch wafer转8inch wafer）及封装小型化及表贴化上。

2.4 如何选择MOSFET晶体管 上面的示例使用N通道MOSFET和P通道MOSFET的工作方式是一样的，只是电流流向相反的方向，并且栅极到电源电压必须是负值才能打开它。

金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）是互补金属氧化物半导体（CMOS）技术的核心元件，代表了工业革命以来最重要的发明之一。在集成电路产品 ...

SuperQ是过去25年来硅基MOSFET设计领域的首次重大突破，在硅功率器件中实现了前所未有的性能与效率提升。该架构突破了硅材料在导通与开关方面的物理瓶颈，将n型导电区域扩大至高达95%，并将开关损耗较竞争产品降低高达2.1倍。

中国MOSFET行业市场规模也保持稳定扩张趋势，增速高于全球市场增速。 2022年中国MOSFET市场规模约为54.0亿美元，同比增长15.88%，2023年达56.6亿美元。

20世纪50年代，功率二极管、功率三极管面世并应用于工业和电力系统；60-70年代，品闸管和平面型功率MOSFET发展起来; 80年代后期，沟槽型功率MOSFET和 ...

MOSFET管一般以两个或两个以上组成一组出现在显卡上，分为上下两组，称为上桥和下桥。 上桥MOSFET承担外部输入电流，导通的时间短，承担电流低；下桥MOSFET承担的是GPU工作所需电压，其承担的电流是上桥MOSFET的10倍多，导通的时间比上桥长很多。

专为下一代电动汽车基础设施而设计，为高能效车载充电和逆变器提供结构紧凑的单元件解决方案。 Littelfuse公司30日宣布推出TPSMB非对称TVS二极管系列，这是首款上市的非对称瞬态电压抑制（TVS）二极管，专门用于保护汽车应用中的碳化硅（SiC）MOSFET栅极驱动器。

大电流功率开关管是一个串联到主电源轨并由逻辑电路控制的低电阻MOSFET晶体管，集成了各种保护、诊断和检测功能。 在大功率汽车电源系统中，通过背靠背连接的 MOSFET开关管，可以保证保险盒对电流双向控制，为电源路径提供强大的保护（图 1）。

蓝箭电子（301348.SZ）9月19日在投资者互动平台表示，公司主要产品中包括有二极管、三极管、MOSFET、LDO、LED驱动、锂电保护IC、DC-DC、ESD等，可应用于 ...

随着MOSFET器件尺寸不断缩小，降低功耗成为了集成电路设计的关键问题。热载流子注入效应在室温下将金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）的亚 ...

开篇前言 关于SiC MOSFET的并联问题，英飞凌已陆续推出了很多技术资料，帮助大家更好的理解与应用。此文章将借助器件SPICE模型与Simetrix仿真环境，分析SiC MOSFET单管在并联条件下的均流特性。 特别提醒 仿真无法替代实验，仅供参考。 1、选取仿真研究对象 SiC MOSFET ...