近日，semianalysis以技术为重点，总结了今年 VLSI 大会上的精彩内容，包括顶级设计和集成技术。其中包括芯片制造领域的最新进展：晶圆厂数字孪生、先进逻辑晶体管和互连的未来、超越 1x 纳米节点的 DRAM 架构等等。

芝能智芯出品日本Rapidus公司近日公开展示其2纳米GAA（全栅极）晶体管工艺的原型晶圆，实现在先进逻辑半导体技术国产化上的重要突破，产自北海道千岁市的IIM-1工厂，虽尚处于试验阶段，但已确认晶体管能够运作。Rapidus计划2027年实现量产， ...

此外，还需要足够的驱动功率来最大限度地减少高频开关损耗并实现SiC MOSFET众所周知的高效率。基于 CT 的栅极驱动器可以为 SiC MOSFET 提供高效驱动，支持隔离以保护系统运行，并且可以直接与微控制器连接以简化控制（图 3）。

证券之星消息，根据企查查数据显示京东方Ａ（000725）公布了一项国际专利申请，专利名为“栅极驱动电路、显示基板和显示装置”，专利申请号为PCT/CN2024/071143，国际公布日为2025年7月17日。 专利详情如下： ...

栅极驱动器负责提供拉电流，使 mosfet 的栅极充电至最终导通电压 vgs (on) ，并在器件放电至最终关断电压 vgs (off) 时提供灌电流。 图 1 ：栅极驱动器在 mosfet 开 / 关操作中的驱动方式和电流路径。 mosfet 模型包括寄生电容，如 cgd 和 cgs ，它们必须充电和放电。

七 栅极驱动器方案. 安森美的ncp51705是一款sic栅极驱动器ic，提供高的设计灵活度和集成度，几乎与任何sic mosfet兼容。ncp51705集成许多通用栅极驱动器ic所共有的功能，包括： v dd 正电源电压最高28v. 高峰值输出电流：6 a拉电流和10 a灌电流 ...

根据企查查的数据，今年以来，京东方A已公布的国际专利申请数量达673个，较去年同期增加了19.33%。这一增幅不仅反映了京东方在技术创新方面的持续投入，也显示出其在全球市场上的竞争力。结合公司2024年年报，京东方在研发方面的投入达到131.23亿元，同比增幅为15.94%。这无疑是对未来技术发展的坚定信心。

栅极驱动器集成电路功能最小化，通用性强，适用于三相无刷直流电机 小封装 单通道输出引脚，可驱动Nch-MOSFET 可用作三通道半桥的栅极驱动器 ...

在科技迅猛发展的今天，显示技术的革新成为了各大企业争相追逐的热点。近日，京东方A（股票代码：000725）公布了一项令人瞩目的国际专利申请，名为“栅极驱动电路及其工作方法、显示基板、显示装置”。这一专利的申请号为PCT/CN2024/075359，国际公布日定在2025年7月17日。

分享栅极驱动器有助于消除不同驱动器之间的不匹配问题,但是很难对栅极驱动器进行对称布局,特别是对超过两个并联模块而言。 图4显示的是布局 ...

【TechWeb】据媒体报道，日本芯片制造商Rapidus宣布启动2nm晶圆的测试生产，并计划在2027年正式实现量产。Rapidus在日本IIM-1厂区已经开始使用2nm全环绕栅极架构（GAA）晶体管技术进行原型制作，并且已经确认早期测试晶圆达到了预期的电气特性 ...

证券之星消息，根据企查查数据显示京东方Ａ（000725）公布了一项国际专利申请，专利名为“栅极驱动装置及其驱动方法、显示基板、显示装置”，专利申请号为PCT/CN2024/081494，国际公布日为2025年7月17日。 专利详情如下： ...